Method of reducing erosion of a metal cap layer during via patterning in semiconductor devices
WO2009134386
Art A1
5. November 2009
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009134386
- Aktenzeichen
- EP09739189
- Anmeldetag
- 30. April 2009
- Veröffentlichung
- 5. November 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
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