Vanadium Oxide Thin Films

WO2009134810 Art A2 5. November 2009

Anmelder: The President and Fellows of Harvard College 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009134810
Aktenzeichen: EP09739612
Anmeldetag: 28. April 2009
Veröffentlichung: 5. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/08C23C14/34C23C14/50C23C14/58H01L21/203

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The President and Fellows of Harvard College
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Harvard University

US-amerikanische Elite-Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts. Harvard betreibt Forschung und Patentierung in zahlreichen Feldern, insbesondere Biotechnologie, Medizin, Life Sciences und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von