Ofdm system and nyquist pulse shaping method with high spectrum efficiency
WO2009136335
Art A2
12. November 2009
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009136335
- Aktenzeichen
- EP09742508
- Anmeldetag
- 1. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 12. November 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H04L25/03H04L27/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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