Semiconductor device manufacturing method

WO2009136606 Art A1 12. November 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009136606
Aktenzeichen: EP09742730
Anmeldetag: 1. Mai 2009
Veröffentlichung: 12. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L21/28H01L21/306H01L21/318H01L27/115H01L29/423H01L29/49H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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