Film forming method of silicon oxide film, silicon oxide film, semiconductor device, and manufacturing method of semicomductor device

WO2009139485 Art A1 19. November 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009139485
Aktenzeichen: EP09746691
Anmeldetag: 11. Mai 2009
Veröffentlichung: 19. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/31H01L21/76H01L21/768H01L21/8247H01L23/522H01L27/115H01L29/78H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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