Formation of substantially pit free indium gallium nitride

WO2009141724 Art A1 26. November 2009

Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009141724
Aktenzeichen: EP09750181
Anmeldetag: 22. Mai 2009
Veröffentlichung: 26. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L21/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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