A transistor device and a method of manufacturing the same

WO2009141757 Art A1 26. November 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009141757
Aktenzeichen: EP09750214
Anmeldetag: 12. Mai 2009
Veröffentlichung: 26. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L21/8249H01L29/737H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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