Sputtering target, method for forming amorphous oxide thin film using the same, and method for manufacturing thin film transistor

WO2009142289 Art A1 26. November 2009

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009142289
Aktenzeichen: EP09750651
Anmeldetag: 22. Mai 2009
Veröffentlichung: 26. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C04B35/00C04B35/453C23C14/08H01L21/363H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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