Dielectric film, dielectric element, and process for producing the dielectric element
WO2009142325
Art A1
26. November 2009
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009142325
- Aktenzeichen
- EP09750687
- Anmeldetag
- 25. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 26. November 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01G33/00H01G4/10H01G4/33H01L21/316H01L21/8242H01L27/108H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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