Circuit for and an electronic device including a nonvolatile memory cell and a process of forming the electronic device

WO2009142824 Art A1 26. November 2009

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009142824
Aktenzeichen: EP09751054
Anmeldetag: 27. März 2009
Veröffentlichung: 26. November 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/04G11C16/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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