Field effect transistor and method for manufacturing the same
WO2009144902
Art A1
3. Dezember 2009
Anmelder: Mitsumi Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009144902
- Aktenzeichen
- EP09754411
- Anmeldetag
- 22. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/336H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsumi Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsumi Electric Co., Ltd.
Japanischer Hersteller elektronischer Bauteile und Baugruppen wie Steckverbinder, Sensoren und optische Laufwerke, tätig in der Unterhaltungselektronik und im Automobilbereich. Sitz in Japan, Teil der MinebeaMitsumi-Gruppe.
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