Semiconductor chip, intermediate substrate and semiconductor device

WO2009145196 Art A1 3. Dezember 2009

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2009145196
Aktenzeichen
EP09754704
Anmeldetag
26. Mai 2009
Veröffentlichung
3. Dezember 2009
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/12H01L21/60H01L25/065H01L25/07H01L25/18
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Renesas Electronics Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen