Semiconductor chip, intermediate substrate and semiconductor device
WO2009145196
Art A1
3. Dezember 2009
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009145196
- Aktenzeichen
- EP09754704
- Anmeldetag
- 26. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/12H01L21/60H01L25/065H01L25/07H01L25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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