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WO2009145267
Art A1
3. Dezember 2009
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009145267
- Aktenzeichen
- EP09754775
- Anmeldetag
- 28. Mai 2009
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H04W4/02H04M1/00H04M1/725H04M11/00H04W8/08H04W64/00G01C21/00G08G1/005
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Vertreten von
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