Nitride semiconductor layer-containing structure, nitride semiconductor layer-containing composite substrate and production methods of these

WO2009145327 Art A1 3. Dezember 2009

Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009145327
Aktenzeichen: EP09754835
Anmeldetag: 25. Mai 2009
Veröffentlichung: 3. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Canon Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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