Bonding method for through-silicon-via based 3d wafer stacking

WO2009146588 Art A1 10. Dezember 2009

Anmelder: Hong Kong Applied Science And Technology Research 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009146588
Aktenzeichen: EP08757614
Anmeldetag: 5. Juni 2008
Veröffentlichung: 10. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/488H01L25/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hong Kong Applied Science And Technology Research
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute

Das Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute (ASTRI) ist eine anwendungsorientierte Forschungseinrichtung in Hongkong. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Nachrichtentechnik sowie Halbleitertechnik, ergänzt durch Messtechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2007 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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