Local buried layer forming method and semiconductor device having such a layer

WO2009147559 Art A1 10. Dezember 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009147559
Aktenzeichen: EP09757911
Anmeldetag: 20. Mai 2009
Veröffentlichung: 10. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/74H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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