Semiconductor device
WO2009147753
Art A1
10. Dezember 2009
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009147753
- Aktenzeichen
- EP08811303
- Anmeldetag
- 22. September 2008
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/065H01L21/822H01L25/07H01L25/18H01L27/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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