Ion beam device

WO2009147894 Art A1 10. Dezember 2009

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009147894
Aktenzeichen: EP09758161
Anmeldetag: 30. März 2009
Veröffentlichung: 10. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01J27/26H01J37/08H01J37/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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