Alxga(1-x)as substrate, epitaxial wafer for infrared led, infrared led, method for production of alxga(1-x)as substrate, method for production of epitaxial wafer for infrared led, and method for production of infrared led

WO2009147976 Art A1 10. Dezember 2009

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009147976
Aktenzeichen: EP09758243
Anmeldetag: 27. Mai 2009
Veröffentlichung: 10. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/42C30B19/12H01L21/205H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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