Methods for fabricating gated lateral thyristor-based random access memory (gltram) cells

WO2009148533 Art A1 10. Dezember 2009

Anmelder: Globalfoundries Inc. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009148533
Aktenzeichen: EP09758697
Anmeldetag: 28. Mai 2009
Veröffentlichung: 10. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/102G11C11/39H01L21/332H01L29/74H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Globalfoundries Inc.
Land: 🇰🇾 KY

🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

231 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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