Method for preparing ultraflat, atomically perfect areas on large regions of a crystal surface by heteroepitaxy deposition

WO2009148671 Art A2 10. Dezember 2009

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009148671
Aktenzeichen: EP09758834
Anmeldetag: 10. März 2009
Veröffentlichung: 10. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C23C14/24C23C14/34C30B23/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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