Gesbte material including superflow layer(s) and use of ge to prevent interaction of te from sbxtey and gextey resulting in high te content and film crystallinity

WO2009152108 Art A2 17. Dezember 2009

Anmelder: Advanced Technology Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009152108
Aktenzeichen: EP09763399
Anmeldetag: 8. Juni 2009
Veröffentlichung: 17. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Advanced Technology Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Advanced Technology Materials

Der Anmelder ist ein US-amerikanischer Hersteller von Spezialchemikalien und Materialien für die Halbleiterindustrie, bekannt als ATMI, inzwischen Teil von Entegris. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Verfahrens- und Trenntechnik, Metallurgie und Verpackungstechnik. Anmeldungen laufen seit dem Jahr 2000 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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