Electrical circuit comprising a dynamic random access memory (dram) with concurrent refresh and read or write, and method to perform concurrent refresh and read or write in such a memory

WO2009153736 Art A1 23. Dezember 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009153736
Aktenzeichen: EP09766273
Anmeldetag: 17. Juni 2009
Veröffentlichung: 23. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/406

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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