Semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2009153834 Art A1 23. Dezember 2009

Anmelder: Fujitsu Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009153834
Aktenzeichen: EP08764162
Anmeldetag: 18. Juni 2008
Veröffentlichung: 23. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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