Method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device
WO2009153909
Art A1
23. Dezember 2009
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009153909
- Aktenzeichen
- EP09766357
- Anmeldetag
- 20. April 2009
- Veröffentlichung
- 23. Dezember 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/762H01L21/02H01L21/336H01L21/76H01L21/8234H01L21/8249H01L27/06H01L27/08H01L27/088H01L27/12H01L29/739H01L29/78H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
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