Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2009153912 Art A1 23. Dezember 2009

Anmelder: NEC Corporation, Renesas Electronics Corporation, Nec Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009153912
Aktenzeichen: EP09766360
Anmeldetag: 30. April 2009
Veröffentlichung: 23. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12H01L23/538

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
Renesas Electronics Corporation
Nec Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von