Magnetron sputtering method, and magnetron sputtering device

WO2009154213 Art A1 23. Dezember 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009154213
Aktenzeichen: EP09766661
Anmeldetag: 17. Juni 2009
Veröffentlichung: 23. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Tohoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von