Si purification method, si purification device and purified si film formation device

WO2009154232 Art A1 23. Dezember 2009

Anmelder: Osaka University, Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009154232
Aktenzeichen: EP09766680
Anmeldetag: 17. Juni 2009
Veröffentlichung: 23. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C01B33/039C01B33/029H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Osaka University
Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

2.434 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.808 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von