Diodes, and methods of forming diodes

WO2009154886 Art A2 23. Dezember 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009154886
Aktenzeichen: EP09767198
Anmeldetag: 1. Mai 2009
Veröffentlichung: 23. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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