Techniques for measuring ion beam emittance

WO2009155166 Art A2 23. Dezember 2009

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009155166
Aktenzeichen: EP09767476
Anmeldetag: 9. Juni 2009
Veröffentlichung: 23. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/66H01J37/317

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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