Method for manufacturing soi substrate

WO2009157369 Art A1 30. Dezember 2009

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009157369
Aktenzeichen: EP09770079
Anmeldetag: 12. Juni 2009
Veröffentlichung: 30. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/336H01L27/12H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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