Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device using the semiconductor device

WO2009157531 Art A1 30. Dezember 2009

Anmelder: Hitachi, Ltd., Tokyo Institute of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009157531
Aktenzeichen: EP09770241
Anmeldetag: 26. Juni 2009
Veröffentlichung: 30. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Hitachi, Ltd.
Tokyo Institute of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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