Cible De Pulvérisation Pour Semi-Conducteur Aux Oxydes, Comprenant Une Phase Cristalline D INGAO<SB>3</SB>(ZNO) Et Procédé De Production De La Cible De Pulvérisation

WO2009157535 Art A1 30. Dezember 2009

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009157535
Aktenzeichen: EP09770245
Anmeldetag: 26. Juni 2009
Veröffentlichung: 30. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C04B35/00C04B35/453H01L21/363H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

2.158 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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