Method for fabricating ganassb semiconductor

WO2009157870 Art A1 30. Dezember 2009

Anmelder: Nanyang Technological University 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009157870
Aktenzeichen: EP08767304
Anmeldetag: 26. Juni 2008
Veröffentlichung: 30. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nanyang Technological University
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Nanyang Technological University

Die Nanyang Technological University ist eine staatliche Forschungsuniversität in Singapur, die in den Bereichen Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologie international hoch angesehen ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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