Methods op fabricating crystalline organic semiconductive layers

WO2009158201 Art A1 30. Dezember 2009

Anmelder: 3M Innovative Properties Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009158201
Aktenzeichen: EP09770735
Anmeldetag: 11. Juni 2009
Veröffentlichung: 30. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: 3M Innovative Properties Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 3M Innovative Properties

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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