Forming ultra low dielectric constant porous dielectric films and structures formed thereby

WO2009158236 Art A2 30. Dezember 2009

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009158236
Aktenzeichen: EP09770770
Anmeldetag: 16. Juni 2009
Veröffentlichung: 30. Dezember 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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