Improved fabrication method for thin-film field-effect transistors

WO2010001108 Art A1 7. Januar 2010

Anmelder: Imperial Innovations Limited 🇬🇧

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010001108
Aktenzeichen: EP09772788
Anmeldetag: 30. Juni 2009
Veröffentlichung: 7. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Imperial Innovations Limited
Land: 🇬🇧 Großbritannien

🇬🇧 Imperial Innovations Limited

Britische Technologietransfer- und Beteiligungsgesellschaft, die aus dem Imperial College London hervorging und Ausgründungen in verschiedenen Technologiefeldern finanzierte. Ging später in der IP Group auf.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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