Silicon single crystal wafer, process for producing silicon single crystal wafer, and method for evaluating silicon single crystal wafer

WO2010001518 Art A1 7. Januar 2010

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010001518
Aktenzeichen: EP09773096
Anmeldetag: 7. Mai 2009
Veröffentlichung: 7. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C30B29/06C30B33/00H01L21/304H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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