Diamond semiconductor device and process for fabricating same

WO2010001705 Art A1 7. Januar 2010

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010001705
Aktenzeichen: EP09773283
Anmeldetag: 12. Juni 2009
Veröffentlichung: 7. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L29/861H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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