Sputtering target, process for producing the sputtering target, and process for producing cu oxide layer

WO2010001823 Art A1 7. Januar 2010

Anmelder: Hitachi Metals, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010001823
Aktenzeichen: EP09773401
Anmeldetag: 26. Juni 2009
Veröffentlichung: 7. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34B22F1/00C22C9/00H01L21/28H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi Metals, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Proterial

Japanisches Unternehmen (frühere Firmierung Hitachi Metals), das Spezialstähle, Magnetwerkstoffe und Metallkomponenten für Industrie und Automobilbau herstellt.

1.209 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von