Wiring structure, thin film transistor substrate, method for manufacturing thin film transistor substrate, and display device

WO2010001998 Art A1 7. Januar 2010

Anmelder: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010001998
Aktenzeichen: EP09773576
Anmeldetag: 3. Juli 2009
Veröffentlichung: 7. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28G02F1/1368G09F9/30H01L21/3205H01L21/336H01L21/768H01L23/52H01L23/522H01L29/417H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kobe Steel

Japanischer Stahl- und Maschinenbaukonzern mit Sitz in Kobe, tätig in den Bereichen Stahl, Aluminium, Maschinenbau und Schweißtechnik.

665 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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