High aspect ratio microstructure and method of fabricating the same and high aspect ratio microstructure array and method of fabricating the same
WO2010002045
Art A1
7. Januar 2010
Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010002045
- Aktenzeichen
- EP08778535
- Anmeldetag
- 1. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 7. Januar 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B82B3/00G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Advanced Institute of Science and Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
KAIST
Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.
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