Cmos device comprising mos transistors with recessed drain and source areas and non-conformal metal silicide regions
WO2010002448
Art A1
7. Januar 2010
Anmelder: Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010002448
- Aktenzeichen
- EP09773901
- Anmeldetag
- 30. Juni 2009
- Veröffentlichung
- 7. Januar 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/265H01L21/336H01L21/8238H01L29/08H01L29/417H01L29/45H01L29/78H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Advanced Micro Devices, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
1.708 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.