Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

WO2010002718 Art A2 7. Januar 2010

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010002718
Aktenzeichen: EP09774169
Anmeldetag: 26. Juni 2009
Veröffentlichung: 7. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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