Treatment of gate dielectric for making high performance metal oxide and metal oxynitride thin film transistors

WO2010002803 Art A2 7. Januar 2010

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010002803
Aktenzeichen: EP09774254
Anmeldetag: 29. Juni 2009
Veröffentlichung: 7. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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