Phase-change memory, semiconductor device, and rfid module

WO2010004652 Art A1 14. Januar 2010

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010004652
Aktenzeichen: EP08791090
Anmeldetag: 11. Juli 2008
Veröffentlichung: 14. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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