Gan crystal substrate, gan crystal substrate manufacturing method, gan crystal substrate provided with semiconductor epitaxial layer, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
WO2010004964
Art A1
14. Januar 2010
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010004964
- Aktenzeichen
- EP09794408
- Anmeldetag
- 6. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 14. Januar 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B25/04H01L21/205
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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