Memory cell sensing using negative voltage

WO2010005483 Art A2 14. Januar 2010

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010005483
Aktenzeichen: EP09794771
Anmeldetag: 18. Juni 2009
Veröffentlichung: 14. Januar 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/26G11C16/30G11C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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