Double gate and tri-gate transistor formed on a bulk substrate and method for forming the transistor
WO2010005526
Art A1
14. Januar 2010
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010005526
- Aktenzeichen
- EP09788860
- Anmeldetag
- 30. Juni 2009
- Veröffentlichung
- 14. Januar 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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