Amélioration De La Rugosité De Largeur De Ligne Organique Avec Un Traitement Par Plasma H<SB>2</SB>
WO2010008967
Art A2
21. Januar 2010
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010008967
- Aktenzeichen
- EP09798572
- Anmeldetag
- 7. Juli 2009
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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